近日,我院纳米能源研究中心团队开展了稀土Sm元素掺杂增强单层MoS2的电学性能及其光电探测器性能调控的研究,研究成果“以Enhanced electrical performance of monolayer MoS2 with rare earth element Sm doping”为题发表在《nanomaterials》期刊上。
本研究采用化学气相沉积法生长稀土元素钐(Sm)掺杂单层MoS2薄膜。 研究发现,Sm离子在MoS2单层中引入p型掺杂,改变了MoS2的能带结构以及电学性能。 Sm掺杂提高了单层MoS2:Sm基场效应晶体管(FET)的电学性能,其中,阈值电压从-12 V移动到0 V,开关电流比提高了500%,迁移率提高40%。 这项工作对稀土元素掺杂二维TMDCs材料的基础研究及应用具有重要意义。
该工作获得广西人才专项基金,广西大学高层次人才启动项目,广西大学纳米能源中心,广西有色金属及特色材料加工重点实验室等资助。
论文作者:李世杰(硕士生),田时代(硕士生),姚远(博士生),贺梦(硕士生),陈黎(通讯作者),张岩(通讯作者),翟俊宜(通讯作者)。
论文链接:https://doi.org/10.3390/nano11030769