光电材料与探测技术研究团队以及纳米能源研究中心与苏州纳米与仿生研究所、长春光学精密机械物理研究所、美国北佛罗里达大学、美国肯尼索州立大学合作，研究了含有量子点结构的绿光InGaN-LED的载流子复合动力学。本工作以“Carrier recombination dynamics in green InGaN-LEDs with quantum-dot-like structures”为题发表在SCI二区刊物Journal of Materials Science(09.29.2020)。

论文链接：https://doi.org/10.1007/s10853-020-05343-6,

论文作者；田明(研究生),马藏敏(研究生),林涛*,刘建平(苏州纳米与仿生研究所),Devki N. Talwar(美国北佛罗里达大学),杨辉(苏州纳米与仿生研究所),曹杰华(大学生),黄馨莹(大学生),牛文龙(研究生),Ian T. Ferguson(美国肯尼索州立大学),万玲玉,冯哲川*。

本文深入研究了在C-轴蓝宝石衬底上用金属有机化学气相沉积法制备的含量子点结构的InGaN/GaN多量子阱绿光InGaN-LED及其可变温度稳态光致发光(PL)和时间分辨光致发光(TRPL)的光谱结果。讨论考虑了激子局域化现象,自由载流子复合的影响不容忽视。由于内掺InGaN量子点中的强局域态增强了激子的局域化，提高了内量子效率。通过精细地包含局域激子、非辐射和自由载流子复合速率的模型，解释了TRPL测量中观测到的非指数衰变。提出了一种计算内量子效率的新方法，它是对传统的基于温度相关光致发光测量的方法的补充与发展。