近日，我院光电子材料与探测技术团队和东北师范大学紫外光发射材料与技术教育部重点实验室合作，在β氧化镓微米线的光学性质研究方面取得进展，相关成果发表在应用物理类期刊《Applied Physics Express》上，题为"Temperature-dependent Raman-active phonon modes and electron-phonon coupling in β-Ga₂O₃ microwire"。

准一维的β氧化镓微米线材料具有良好的紫外吸收性能、可调谐性能和良好的兼容性，然而目前对于β氧化镓微米线基础光学性质的研究相对缺乏。本论文研究了β氧化镓微米线的拉曼声子模及其变温特性。研究发现氧化镓微米线的所有拉曼峰半峰宽均较体单晶样品窄，表明微米线晶体结构具有更高的对称性。随温度升高，其中五个拉曼声子模的峰位先蓝移后红移，与从氧化镓体单晶样品中得到的分析结果有明显区别。之后，通过光致发光(PL)光谱和变温PL光谱学研究了微米线的发光性质和电子-声子耦合强度，发现常温下β氧化镓微米线的光致发光光谱中主要是源自自陷激子复合的紫外光信号。另外，发现氧化镓微米线具有高的Huang-Rhys因子（约为14），具有强的电声子耦合效应。

论文作者：姚容程（硕士生），万玲玉（通讯作者，广西大学），李炳生（东北师范大学），王月飞（东北师范大学）

论文链接：https://doi.org/10.35848/1882-0786/ad135c