近日，我院光电子材料与探测技术团队和哈尔滨工业大学矫淑杰教授团队合作，对高Al组分(Al_xGa_1-x)₂O₃薄膜的光学性质展开研究，研究论文以“Optical and electronic properties of (AlxGa1−x)2O3/Al2O3 (x>0.4) films grown by magnetron sputtering”为题被《Journal of Alloys and Compounds》接收发表。

论文链接：https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2021.158765。

论文作者：胡威（硕士生），李姝熠（本科生），胡一洁（硕士生），万玲玉（通讯作者），矫淑杰（哈尔滨工业大学），胡卫国（中科院北京纳米能源与系统研究所），Devki N Talwar (University of North Florida)，冯哲川，李婷（本科生），徐景桓（本科生），尉良敏（本科生），郭炜（中科院宁波材料所）。

团队通过系列表征技术，研究了不同溅射功率下磁控溅射法制备的不同Al组分的(Al_xGa_1-x)₂O₃（x > 0.4）薄膜的微结构和光电性质，研究发现较高的溅射功率有利于(Al_xGa_1-x)₂O₃结晶，而低的溅射功率则有利于铝组分的提高，二者需要平衡优化。而随着Al组分的增加，禁带宽带变宽，费米能级下降，功函数增加。研究结果为磁控溅射法生长高铝组分(Al_xGa_1-x)₂O₃薄膜及其性能优化提供了有价值的参考。